2023年6月7日，中国 -- 服务多重∞电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证→券交易所代码：STM)，和中国化合物半导体龙头企业(涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产∏品)三安光电(上海证券交易所代码Ψ：600703)今日宣布，双方已签署协︽议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件∏合资制造厂。新的SiC制造厂计¤划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全◣面落成，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电↓力和能源等应用日益增长的需求。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新∞的8英寸 SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬卐底需求。

　　该合资厂将采用ST的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂↑以满足其中国客户的需求。

　　该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元，其中未来5年的⌒资本支出约为24亿美元，资金来源包括来自意法半导体和三安光∑　电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。

三安光电首席执行官林科闯表示：“该合资厂的成立将有力推动SiC器件在中国市场的广泛采用。作为一家国际知名的高品质SiC晶圆代♀工服务公司，三安还将新建一个SiC衬底工厂，专门为新∴成立的合资厂提供SiC衬底。这是三安光电朝着成为SiC专业晶圆代工厂这一目标迈出的【重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张，我们有信心三安将继续※在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位”。

　　意法半导体总裁兼☆首席执行官Jean-Marc Chery表示：“中国的汽车和工业领域正在朝着电气化〗全速前进，在这个市场上，ST已经成功拿下了许多客户项目。对ST来说，与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆◆厂，这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来】的8英寸衬底」制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合，ST将有能█力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此△举将成为继ST在意大ㄨ利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要←一步。新合资厂将助力ST实现到2030年取得50亿美元以上SiC营收这一目标。这一举¤措也与ST在2025-2027年实现200亿美元以上的营收目标以及我们之前√向资本市场传达的相关财务模式相契合。”