另外，为了进一步开发2纳米制程①技术，台积电将派ㄨ遣约1,000名研发人员♀前往目前正在建设中的Fab 20晶圆厂工作。

外媒Patently apple报导指出，三星电子于2022年6月采用GAA技术开始量产3纳米制程芯片，比台积电提前6个月，成为全球首家量产该¤制程技术的企业。而受到三星先发制人的冲击，台积电高层多次公开2纳米制程技术的发展计划，形成先ㄨ进制程发展竞赛。此外，有报道还称，当前的台积电还在开发芯片背面供电的技术，目标是到2026年使用该技术。

除了台积电之外，先前宣布计划在2021年重新进入晶圆代工业务的处理器大厂英特尔(Intel)也加入了先进制程研发竞赛。这家美国半导体大厂在当地时间6月1日的线上活动中公布其芯片背面电源解决方案PowerVia的︻技术发展、测试数据和路线图，开始扩大其在晶圆代工产业的影响力。

此外，英特尔设定了一个目标，就是在2024年下半年将其代工技术推进到1.8纳米的节点。3月，该公司制定了一项计划，就是藉由与ARM建立合作伙伴关系，达成1.8纳米制程技术的量产。不过，市场人士也存在一些不确定看法，认为即使英特尔按照路线图取得成功，但最终要达到收支平衡，对公司来说仍是一个很大的挑战。

报导还说明了台积电㊣另一竞争对手三星的情况，就是三星DS部门总裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演←讲中表示，三星计划超越台积电，目标就是从比台积电更早使用GAA技术的2纳米制程开始。

事实上，台积电除了先进制程之外，也透过先进封装技术来维持技术的领先。不久前，台积电就宣布先进封测六厂启用正式启用，成为台积电首家达成前后端制程3D Fabric整合一体化自动化先进封测厂和测试服务工厂。同时，也为TSMC-SoIC（系统整合芯片）制程√技术的量产做准备。先进封测六厂的启用，将使台积电●对SoIC、InFO、CoWoS、先进测试等各项TSMC 3DFabric先进封装与硅堆叠技术，拥有更完整及灵活的产能规划之外，也带来更高的生产良率与效能协同效应。